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J-GLOBAL ID：200903006672048285

半導体基体のエッチング装置およびエッチング方法

Inventor： 斉須 好一 ,  鹿野 英男 ,  渡辺 泰男
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所 ,  日立設備エンジニアリング株式会社
Agent (1)： 鵜沼 辰之
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992007770
Publication number (International publication number)：1993198555
Application date： Jan. 20, 1992
Publication date： Aug. 06, 1993
Summary：

【要約】【目的】 誘電体分離シリコン基体製造工程の異方性エッチング時に、侵食量寸法を高精度に制御でき単純な装置系統構成のエッチング装置を提供する。【構成】 エッチング反応液5と浮遊IPA液6とで積層構成される液を、オーバフロー堰4からバルブ15を介して、補給タンク17へ排出回収した後、ポンプ8の駆動によりエッチング槽3のエッチング反応液5を押し上げ、エッチング槽3の表面に残留する極薄膜IPA液を完全排出させる。そこで、シリコン基体1を浸漬させ、補給タンク17の液5,6を窒素19で加圧し、エッチング槽3に再供給する。また、長円形シャフト23の回転によりエッチング反応液5を層流状態とし、シリコン基体1の全域に均等にエッチング反応液5を作用させる。

Claim (excerpt)：

エッチング槽内で比重の大きい第1成分に比重の小さい第2成分が少量混合した第1相と当該第1相上に積層され前記第2成分に前記第1成分が少量混合した第2相とからなるエッチング液により前記第1相内に浸漬した半導体其体をエッチングする装置において、前記第2相の下端よりも低い仕切りにより前記エッチング槽と区分されたオーバフロー堰と、前記半導体基体の浸漬に先立ち前記仕切りよりも上の前記第1相および第2相からなるエッチング液を前記オーバフロー堰から吸引し回収する手段と、前記半導体基体の浸漬後に前記回収したエッチング液を前記仕切りよりも高い位置から前記エッチング槽に再供給する手段とを備えたことを特徴とする半導体基体のエッチング装置。