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J-GLOBAL ID：200903006682339350

半導体レーザ

Inventor： 松井 康浩 ,  小川 洋 ,  沓澤 聡子
Applicant, Patent owner： 沖電気工業株式会社
Agent (1)： 大垣 孝
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994038841
Publication number (International publication number)：1995249828
Application date： Mar. 09, 1994
Publication date： Sep. 26, 1995
Summary：

【要約】【目的】 量子井戸構造の活性層を備える半導体レーザにおいて価電子帯頂上におけるキャリアの有効質量を低減する。【構成】 障壁層10及び井戸層12を交互に積層して量子井戸構造の活性層14を構成する。そして障壁層10の軽い正孔に対する価電子帯と井戸層12の軽い正孔に対する価電子帯との間のバンド不連続量を零とする。これと共に障壁層10の重い正孔に対する価電子帯と井戸層12の重い正孔に対する価電子帯との間のバンド不連続量を、重い正孔に対して量子井戸を形成する大きさとする。これにより軽い正孔及び重い正孔のバンド構造に拘らず、これら正孔の間のバンド混合効果を低減できるので、目的を達成できる。

Claim (excerpt)：

障壁層及び井戸層を交互に積層して構成した量子井戸構造の活性層を備えて成る半導体レーザにおいて、障壁層の軽い正孔に対する価電子帯と井戸層の軽い正孔に対する価電子帯との間のバンド不連続量を、軽い正孔に対して量子井戸を形成しない大きさとし、前記障壁層の重い正孔に対する価電子帯と前記井戸層の重い正孔に対する価電子帯との間のバンド不連続量を、重い正孔に対して量子井戸を形成する大きさとして成ることを特徴とする半導体レーザ。

IPC (2)：

H01S 3/18 ,  H01L 29/06

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 光半導体素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-278543   Applicant：株式会社東芝