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J-GLOBAL ID：200903006686124430

薄膜コンデンサの製造方法

Inventor： 伊藤 寿 ,  山本 芳枝 ,  阿部 和秀 ,  小松 周一
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 則近 憲佑
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993203809
Publication number (International publication number)：1995057967
Application date： Aug. 18, 1993
Publication date： Mar. 03, 1995
Summary：

【要約】【目的】 SrTiO3 薄膜等のペロブスカイト構造の酸化物層と下部電極に対し適切なエッチング選択性を有し、かつ適切な段差形状を確保しつつ簡便にパターニングできるエッチング液を用いた薄膜コンデンサの製造方法を提供するものである。【構成】 ペロブスカイト構造の酸化物薄膜を誘電体とする薄膜コンデンサにおいて、前記酸化物薄膜のパターニングをエチレンジアミン四酢酸-NH4 OH-H2 O2 -H2 O溶液またはエチレンジアミン四酢酸-NH4 OH-H2 O溶液をエッチング液として用いて行うことを特徴としている。

Claim (excerpt)：

ベース基板上に第1の導電層を形成する工程と、前記第1の導電層の上にペロブスカイト構造の酸化物層を形成する工程と、前記酸化物層をエチレンジアミン四酢酸-NH4 OH-H2 O2 -H2 O溶液を用いて選択的にエッチングする工程と、前記酸化物層上に第2の導電層を形成する工程とを具備することを特徴とする薄膜コンデンサの製造方法。

IPC (3)：

H01G 4/33 ,  C23F 1/00 102 ,  H01G 4/10

FI (2)：

H01G 4/06 102 ,  H01G 4/10

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 特開昭55-138235