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J-GLOBAL ID：200903006690793990

半導体レーザダイオード

Inventor： 神山 道也
Applicant, Patent owner： 富士電機株式会社
Agent (1)： 山口 巖
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995214318
Publication number (International publication number)：1997064454
Application date： Aug. 23, 1995
Publication date： Mar. 07, 1997
Summary：

【要約】【課題】クラッド層からのSeやZnのドーパントが活性層に拡散するのを防止し、活性層でのpn接合を急峻に形成し、レーザ発振開始電流Ithの異常な増大を防止し、信頼性を高める。【解決手段】n形GaAs基板1上にn形GaAsバッファ層2、n形AlGaAsクラッド層3、複数のn形AlGaAs層301とノンドープGaAs層302からなる狭着層300、低濃度のp形AlGaAsの活性層4、複数のp形AlGaAs層501とノンドープGaAs層502からなる狭着層500、p形GaAsのキャップ層6、n形GaAsの電流狭窄層8、p形AlGaAsクラッド層9、p形GaAsコンタクト層10からなる。

Claim (excerpt)：

GaAs基板にGaAs層とAlGaAs層とを積層してなる半導体レーザダイオードにおいて、10ないし50nmの幅で不純物をドープしたAlX Ga1-X As(0≦X≦1、X:組成比)層と、1ないし10nmの幅で不純物をドープしないGaAs層とからなる狭着層が、AlGaAs層からなる活性層の両面に形成されることを特徴とする半導体レーザダイオード。