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J-GLOBAL ID：200903006692295807

形態転写材の製造方法

Inventor： 若山 博昭 ,  福嶋 喜章
Applicant, Patent owner： 株式会社豊田中央研究所
Agent (1)： 高橋 祥泰
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998089346
Publication number (International publication number)：1999263616
Application date： Mar. 17, 1998
Publication date： Sep. 28, 1999
Summary：

【要約】 (修正有)【課題】 基材の微細構造を正確に転写した形態転写材を得ることができる,吸着、分離材等に好適な形態転写材の製造方法を提供する。【解決手段】 基材表面にコート物質を50nm以下の厚さで被覆して複合体を形成する複合体形成工程と,複合体から上記基材の少なくとも一部を除去して基材の形態を転写したコート物質を得る基材除去工程とを有している。具体的には、例えばシリカ(SiO2)の反応前躯体であるテトラエトキシシラン{Si(C2H5O)4}3mlを、温度104°C、圧力231気圧の超臨界二酸化炭素に溶解し、水を担持した活性炭(比表面積1781m2/g)1.0gに接触させ、活性炭表面にシリカ(SiO2)を被覆し、活性炭-シリカ(SiO2)複合体を作製し、空気中750°Cで10時間熱処理し、活性炭を除去することにより製造する。

Claim (excerpt)：

基材表面にコート物質を50nm以下の厚さで被覆して複合体を形成する複合体形成工程と,上記複合体から上記基材の少なくとも一部を除去して基材の形態を転写したコート物質を得る基材除去工程とを含む形態転写材の製造方法。

IPC (4)：

C01B 37/00 ,  B01J 19/00 ,  B01J 20/32 ,  B01J 37/02 301

FI (4)：

C01B 37/00 ,  B01J 19/00 K ,  B01J 20/32 Z ,  B01J 37/02 301 M