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J-GLOBAL ID：200903006698017477

高電子移動度トランジスタ及びその製造方法

Inventor：
プリミット パリーク

About プリミット パリーク

, 
ウメシュ ミシュラ

About ウメシュ ミシュラ

, 
イーフェン ウー

About イーフェン ウー


Applicant, Patent owner：
クリー インコーポレイテッド

About クリー インコーポレイテッド


Agent (2)： 谷 義一 ,  阿部 和夫
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2003535260
Publication number (International publication number)：2005527102
Application date： Jul. 23, 2002
Publication date： Sep. 08, 2005
Summary：
本発明は、トラッピングを低減するためのAlGaNの薄膜を有し、また、ゲート漏洩を減少し、最大駆動同電流を増加させるための追加の層を有するAlGaN/GaのHEMTに関する。その上にバリア半導体層(18)を備える高比抵抗の半導体層(20)を備えている。バリア半導体層(18)は高比抵抗層(20)よりも広いバンドギャップを有し、2DEG層(22)が層間に形成される。ソースとドレインコンタクト(13、14)はバリア半導体層(18)に接触し、バリア半導体層(18)の表面部はコンタクト(13、14)で被覆されていない。絶縁層(24)は、バリア半導体層(18)の被覆されていない表面上に含まれ、ゲートコンタクト(16)は絶縁層(24)上に設けられている。絶縁層(24)はゲート漏洩電流のバリアを形成し、かつ、HEMTの最大電流駆動の増加を助ける。本発明は、HEMTの製造方法に関する。HEMTおよびその絶縁層は金属有機化学気相成長法(MOCVD)を使用して作られる。他の方法では、絶縁層はスパッタチャンバー内でHEMTの頂部面の上にスパッタされる。
Claim (excerpt)：
高比抵抗半導体層(20)と、 該高比抵抗半導体層(20)上に設けられ、該高比抵抗半導体層(20)よりも広いバンドギャップを有するバリア半導体層(18)と、 該バリア半導体層(18)と前記高比抵抗半導体層(20)間に設けられた二次元電子ガス層(22)と、 前記バリア半導体層(18)にそれぞれ接触しているとともに、該バリア半導体層(18)の表面部を被覆していないソース及びドレインコンタクト(13,14)と、 前記バリア半導体層(18)の被覆されていない表面上に設けられた絶縁層(24)と、 ゲート漏洩電流のバリアを形成して最大電流駆動を増加させるように、前記絶縁層(24)上に設けられたゲートコンタクト(16)と を備えたことを特徴とする高電子移動度トランジスタ。
IPC (4)：
H01L21/338 ,  H01L29/778 ,  H01L29/78 ,  H01L29/812
FI (2)：
H01L29/80 H ,  H01L29/78 301B
F-Term (32)：
5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GD10 ,  5F102GJ02 ,  5F102GJ10 ,  5F102GK04 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GQ01 ,  5F102GV05 ,  5F102GV07 ,  5F102GV08 ,  5F102HC01 ,  5F102HC11 ,  5F140AA05 ,  5F140AA24 ,  5F140BA06 ,  5F140BA09 ,  5F140BB18 ,  5F140BD04 ,  5F140BD05 ,  5F140BD07 ,  5F140BF01 ,  5F140BF05 ,  5F140BF06 ,  5F140BF07 ,  5F140BF08 ,  5F140BJ01 ,  5F140BJ05 ,  5F140BJ06 ,  5F140BJ30
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (4)
  • 米国再発行特許発明第5,192,987号明細書
  • 米国特許第34,861号明細書
  • 米国特許第4,946,547号明細書
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Cited by examiner (6)
  • 電界効果型トランジスタおよびその製造方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-225077   Applicant：ソニー株式会社
  • 半導体素子
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-056788   Applicant：ソニー株式会社
  • 半導体装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-146563   Applicant：ソニー株式会社
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Article cited by the Patent：
Cited by examiner (3)

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