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J-GLOBAL ID:200903006703910746

光触媒材料

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2003193564
Publication number (International publication number):2005028225
Application date: Jul. 08, 2003
Publication date: Feb. 03, 2005
Summary:
【課題】製造工程が簡単であり、水の酸化・還元電位に対して十分に広いバンドギャップをもつp型半導体を含む高活性なpn接合光触媒材料を提供する。また、ガラスなど比較的耐熱性の低い基材上にも形成可能な、薄膜としてのpn接合光触媒材料を提供する。【解決手段】下記(a)と(b)が接合していることを特徴とする光触媒材料。(a)バンドギャップが2.8eV以上、キャリア密度が1013(cm-3)以下、ドーパントが窒素であるp型光半導体(b)n型光半導体【選択図】なし
Claim (excerpt):
下記(a)と(b)が接合していることを特徴とする光触媒材料。 (a)バンドギャップが2.8eV以上、キャリア密度が1013(cm-3)以下、かつドーパントが窒素であるp型光半導体 (b)n型光半導体
IPC (8):
B01J35/02 ,  B01J23/06 ,  B01J37/02 ,  B01J37/04 ,  C09D5/16 ,  C09D7/12 ,  C09D201/00 ,  C23C14/08
FI (8):
B01J35/02 J ,  B01J23/06 M ,  B01J37/02 301P ,  B01J37/04 101 ,  C09D5/16 ,  C09D7/12 ,  C09D201/00 ,  C23C14/08 C
F-Term (66):
4G069AA02 ,  4G069AA03 ,  4G069AA08 ,  4G069BA04A ,  4G069BA04B ,  4G069BA05A ,  4G069BA48A ,  4G069BB04A ,  4G069BB04B ,  4G069BB06A ,  4G069BC03A ,  4G069BC09A ,  4G069BC10A ,  4G069BC12A ,  4G069BC13A ,  4G069BC18A ,  4G069BC22A ,  4G069BC25A ,  4G069BC35A ,  4G069BC35B ,  4G069BC36A ,  4G069BC42A ,  4G069BC43A ,  4G069BC54A ,  4G069BC55A ,  4G069BC56A ,  4G069BC60A ,  4G069BC68A ,  4G069CD10 ,  4G069DA06 ,  4G069EA01X ,  4G069EA08 ,  4G069EB15X ,  4G069EB15Y ,  4G069EC27 ,  4G069EC28 ,  4G069ED02 ,  4G069FA01 ,  4G069FA03 ,  4G069FB02 ,  4G069FB03 ,  4G069FB07 ,  4G069FB08 ,  4G069FB10 ,  4G069FB23 ,  4G069FB30 ,  4G069FB57 ,  4J038CD091 ,  4J038CD101 ,  4J038CD111 ,  4J038CD121 ,  4J038DL031 ,  4J038DL071 ,  4J038DL081 ,  4J038DL091 ,  4J038HA216 ,  4J038NA05 ,  4K029AA09 ,  4K029BA49 ,  4K029BB02 ,  4K029BC07 ,  4K029CA06 ,  4K029DC03 ,  4K029DC35 ,  4K029DC39 ,  4K029EA01

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