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J-GLOBAL ID：200903006707036072

太陽電池のパッシベーション層構造およびその製造方法

Inventor： 孫 文檠 ,  陳 建勳 ,  藍 崇文 ,  ▲黄▼ 建榮
Applicant, Patent owner： 財団法人工業技術研究院
Agent (1)： 龍華 明裕
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2008064949
Publication number (International publication number)：2009164544
Application date： Mar. 13, 2008
Publication date： Jul. 23, 2009
Summary：

【課題】表面パッシベーション効果を高め、太陽電池の光電変換効率を直接向上させることができる太陽電池のパッシベーション層構造を提供する。【解決手段】パッシベーション層構造は、第1のパッシベーション層20および第2のパッシベーション層30を有する。第1のパッシベーション層20は、基板10上に配置されている。第2のパッシベーション層30は基板10と第1のパッシベーション層20との間に配置され、第2のパッシベーション層30の材料は、基板の材料の酸化物である。第2のパッシベーション層30が基板と第1のパッシベーション層20の間で配置されるので、光電デバイスの表面パッシベーション効果およびキャリア寿命が向上し、太陽電池の光電変換効率も同様に向上する。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

一の光電変換層に配置される一の太陽電池のパッシベーション層構造であって、前記光電変換層に配置される一の第1のパッシベーション層と、前記光電変換層と前記第1のパッシベーション層との間に配置される一の第2のパッシベーション層とを含み、 前記第2のパッシベーション層の一の材料は、前記光電変換層の一の材料の一の酸化物である、パッシベーション層構造。

IPC (1)：

H01L 31/04

FI (1)：

H01L31/04 F

F-Term (9)：

5F051AA03 ,  5F051BA11 ,  5F051CB12 ,  5F051DA03 ,  5F051EA18 ,  5F051FA02 ,  5F051FA06 ,  5F051GA04 ,  5F051HA03

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開昭55-059784
  
• 特開昭55-059784
  
• 有機電子デバイス素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-141590   Applicant：株式会社デンソー, 株式会社豊田中央研究所