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J-GLOBAL ID：200903006708033158

薄膜形成方法、シリコン薄膜及びシリコン薄膜トランジスタの形成方法

Inventor： 松本 友孝 ,  井上 淳 ,  市村 照彦 ,  村田 祐司 ,  渡部 純一 ,  長広 紀雄 ,  甫立 真理 ,  沖 賢一 ,  岡部 正博
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 岡本 啓三
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992023986
Publication number (International publication number)：1993102189
Application date： Feb. 10, 1992
Publication date： Apr. 23, 1993
Summary：

【要約】【目的】本発明は、薄膜形成方法、シリコン薄膜及びシリコン薄膜トランジスタの形成方法に関し、低温で結晶性のよいシリコンの薄膜を成長することを目的とする。【構成】二元系材料を構成する各原子を別々に含む2つの雰囲気に基体1を交互に曝す原子層堆積法により、該基体1上に二元系材料膜2を成長し、つづいて該二元系材料膜2の上にシリコン膜3を成長することを含み構成する。

Claim (excerpt)：

二元系材料を構成する各原子を別々に含む2つの雰囲気に基体(1)を交互に曝す原子層堆積法により、該基体(1)上に二元系材料膜(2)を成長し、つづいて該二元系材料膜(2)の上にシリコン膜(3)を成長することを特徴とする薄膜形成方法。

IPC (5)：

H01L 21/336 ,  H01L 29/784 ,  C23C 14/26 ,  C30B 25/14 ,  H01L 21/205

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

• 特開昭55-044789
  
• 特開昭59-029460
  
• 特開昭62-179717
  
• 特開昭62-009623
  
• 特開昭63-302571
  
• 特開平1-231024