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J-GLOBAL ID：200903006708628356
半導体レーザおよび複合半導体レーザ
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
尾身 祐助
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995199288
Publication number (International publication number)：1997036493
Application date： Jul. 13, 1995
Publication date： Feb. 07, 1997
Summary：
【要約】【目的】 電力-光出力変換効率が高く、かつ、狭い光出射領域において大出力が得られる半導体レーザを提供する。【構成】 半導体基板上にバッファ層、活性層、クラッド層及びコンタクト層を形成し、活性層への電流注入領域が共振器の長さ方向に沿って直線的に変化するようにする。これにより、テーパ状に変化する発光領域9が得られる。発光領域9の広い側の端面に高反射膜10を形成し、発光領域の狭い側の端面に低反射膜11を形成する。
Claim (excerpt)：
第1導電型半導体基板上に、第1導電型バッファ層、活性層および第2導電型クラッド層がこの順に積層され、活性層の電流が注入される領域の幅が共振器長手方向に沿って直線的に変化している半導体レーザにおいて、電流が注入される活性層の幅の広い側の端面に高反射膜が形成されており、高反射膜が形成されていない側の端面から高次モードの発振光が放射されることを特徴とする半導体レーザ。
IPC (2)：
FI (2)：
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