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J-GLOBAL ID：200903006712784249

非晶質金属酸化物ゲート誘電体構造とその製造方法

Inventor： アルーリ、プラサド ブイ. ,  ハンス、ロバート エル. ,  グェン、ビッチェン ,  ホッブズ、クリストファー シー. ,  トビン、フィリップ ジェイ.
Applicant, Patent owner： モトローラ・インコーポレイテッド
Agent (1)： 恩田 博宣 (外1名)
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2001582829
Publication number (International publication number)：2003533046
Application date： Mar. 28, 2001
Publication date： Nov. 05, 2003
Summary：

【要約】本発明の特定の実施形態に従って、ゲート誘電体を形成する方法を開示する。成膜室内に半導体ウェハ(34)を配置する。半導体ウェハ(34)を加熱し、前駆物質ガスを成膜室に流入させる。1実施形態では、前駆物質は、シリコン、酸素、および遷移金属から成る部分を含む。別の実施形態では、該部分は2族の金属を含む。

Claim (excerpt)：

誘電体を成膜する方法であって、 成膜室内に半導体ウェハを配置する工程と、 第1の化合物を成膜室内および半導体ウェハ上に流入させる工程であって、該化合物は、シリコンと、酸素と、ジルコニウム、ハフニウムおよびチタンから成る群より選択された金属とを含む工程と、から成る方法。

IPC (2)：

H01L 21/316 ,  H01L 29/78

FI (2)：

H01L 21/316 X ,  H01L 29/78 301 G

F-Term (12)：

5F058BA20 ,  5F058BC03 ,  5F058BF07 ,  5F058BF27 ,  5F058BF29 ,  5F058BJ10 ,  5F140AA00 ,  5F140AA40 ,  5F140BA01 ,  5F140BD13 ,  5F140BE10 ,  5F140BE18