電界効果トランジスタおよびその製造方法

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：池内寛幸 (外5名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001107247
Publication number (International publication number)：2001352065
Application date： Apr. 05, 2001
Publication date： Dec. 21, 2001
Summary：

【要約】【課題】耐圧が高く損失が低い電界効果トランジスタ、およびその製造方法を提供する。【解決手段】 n形の基板11と、n形の基板11上に形成されたn形半導体層12と、n形半導体層12上に形成されたp形半導体層13と、n形半導体層12中に埋め込まれたp形領域14と、n形半導体層12およびp形半導体層13に埋め込まれたn形領域15と、p形半導体層13の表面側に配置されたn形ソース領域16と、p形半導体層13上に配置された絶縁層17と、絶縁層17上に配置されたゲート電極18と、ソース電極19およびドレイン電極20とを備える。そして、n形半導体層12、p形半導体層13およびp形領域14は、バンドギャップが2eV以上のワイドギャップ半導体からなる。

Claim (excerpt)：

n形半導体層と、前記n形半導体層上に形成されたp形半導体層とを備える電界効果トランジスタであって、前記p形半導体層と接するように前記n形半導体層中に埋め込まれたp形領域と、前記n形半導体層に電気的に接続されたドレイン電極と、前記p形半導体層に接するように配置されたn形ソース領域と、前記p形半導体層に隣接して配置された絶縁層と、前記絶縁層上に配置されたゲート電極とを備え、前記n形半導体層と前記p形半導体層と前記p形領域とが、バンドギャップが2eV以上のワイドギャップ半導体からなることを特徴とする電界効果トランジスタ。

IPC (5)：

H01L 29/78 652 , H01L 29/78 , H01L 29/78 653 , H01L 21/336 , H01L 29/161

FI (6)：

H01L 29/78 652 T , H01L 29/78 652 G , H01L 29/78 652 H , H01L 29/78 653 A , H01L 29/78 658 A , H01L 29/163

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

炭化けい素縦型FET
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-183721 Applicant：富士電機株式会社
半導体装置及び半導体装置製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-072298 Applicant：三菱電機株式会社

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