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J-GLOBAL ID:200903006764554934
フッ素化官能性化合物の製造方法
Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
宇井 正一 (外4名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1993015349
Publication number (International publication number):1994040951
Application date: Feb. 02, 1993
Publication date: Feb. 15, 1994
Summary:
【要約】【目的】 過フッ素化された及び一部フッ素化された官能性化合物、例えば、過フッ素化された及び一部フッ素化されたカルボン酸、エステル、ケトン、アルコール、アミド、カルボン酸フッ化物、及びこれらの誘導体の製造方法を与えること。【構成】 (a) フッ素化可能な環式もしくは非環式カーボネートを温度制御反応器内でフッ素ガスと接触させ前記カーボネートを直接フッ素化すること、及び(b) 得られるフッ素化されたカーボネートを反応性求核剤と混合し、前記フッ素化されたカーボネートと前記求核剤とを反応させ、前記フッ素化されたカーボネートのフッ素化された官能性誘導体を形成することによりフッ素化された官能性化合物が製造される。
Claim (excerpt):
以下の工程(a) フッ素化可能な環式もしくは非環式カーボネートを温度制御反応器内でフッ素ガスと接触させ前記カーボネートを直接フッ素化すること、及び(b) 得られるフッ素化されたカーボネートを反応性求核剤と混合し、前記フッ素化されたカーボネートと前記求核剤とを反応させ、前記フッ素化されたカーボネートのフッ素化された官能性誘導体を形成することを含む、フッ素化官能性化合物の製造方法。
IPC (6):
C07B 39/00
, C07C 31/34
, C07C 68/06
, C07C 69/96
, C07C 51/60
, C07C 53/46
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