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J-GLOBAL ID：200903006776853511

チャージポンプ回路

Inventor： 名野 隆夫 ,  西部 栄次 ,  菊地 修一
Applicant, Patent owner： 三洋電機株式会社
Agent (1)： 安富 耕二 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998273536
Publication number (International publication number)：2000100187
Application date： Sep. 28, 1998
Publication date： Apr. 07, 2000
Summary：

【要約】【課題】昇圧効率を大幅に改善したチャージポンプ回路を提供することにある。【解決手段】チャージポンプ動作を行う各MOSFET(MN1〜MN4)に夫々異なる基板電位を供給することにより、各MOSFET(MN1〜MN4)毎にバックゲートバイアス電圧を最小化している。各MOSFETは、半導体基板(Psub)の表面に設けられたN型ウエル領域(NW1)内の4個のP型ウエル領域(PW1〜PW4)内に1個ずつ配置され、これらの4個のN型ウエル領域(PW1〜PW4)は互いに電気的に分離されており、N型ウエル領域(PW1〜PW4)に4個の基板電位(VR1〜VR4)が夫々供給される。

Claim (excerpt)：

ゲートとドレインを相互に接続したm個のMOSFETを直列接続し、各MOSFETのゲートとドレインの接続点に容量素子の一端を接続し、各容量素子の他端には互いに逆相の第1のクロックおよび第2のクロックを交互に接続し、これらの直列接続されたMOSFETの最終段から昇圧電位を得るチャージポンプ回路であって、前記の各MOSFETは、半導体基板の表面に設けられた第1導電型のウエル領域内のm個の第2導電型のウエル領域内に1個ずつ配置され、これらのm個の第2導電型のウエル領域は互いに電気的に分離されており、この第2導電型の各ウエル領域に互いに異なるm個の基板電位が供給されることを特徴とするチャージポンプ回路。

IPC (4)：

G11C 16/06 ,  G05F 1/10 ,  G05F 1/56 310 ,  H02M 3/07

FI (4)：

G11C 17/00 632 A ,  G05F 1/10 B ,  G05F 1/56 310 M ,  H02M 3/07

F-Term (31)：

5B025AD10 ,  5B025AE00 ,  5B025AE08 ,  5B025AF04 ,  5H410BB04 ,  5H410CC02 ,  5H410DD02 ,  5H410EA12 ,  5H410EB37 ,  5H410FF03 ,  5H410FF25 ,  5H410JJ05 ,  5H410KK08 ,  5H430BB03 ,  5H430BB05 ,  5H430BB09 ,  5H430BB11 ,  5H430EE06 ,  5H430FF02 ,  5H430FF13 ,  5H430FF17 ,  5H430GG01 ,  5H430HH03 ,  5H430HH05 ,  5H430JJ04 ,  5H730AA14 ,  5H730AA15 ,  5H730BB02 ,  5H730BB57 ,  5H730DD04 ,  5H730ZZ11