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J-GLOBAL ID：200903006778864510

金属層の形成方法、半導体装置の製造方法

Inventor：
大塚 信幸

About 大塚 信幸


Applicant, Patent owner：
富士通株式会社

About 富士通株式会社


Agent (1)： 高橋 敬四郎 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001305200
Publication number (International publication number)：2003109914
Application date： Oct. 01, 2001
Publication date： Apr. 11, 2003
Summary：
【要約】【課題】 CVDで純度の高い金属層を形成する方法を提供する。【解決手段】 金属層の形成方法は、目的厚さの金属層を気相成長法(CVD)で形成する方法であって、(A)目的厚さと較べて著しく薄い厚さの金属層をCVDで堆積する工程と、(B)前記工程(A)の後、原料を供給せず、堆積した層の表面状態を変化させる工程と、(C)前記工程(A)と、(B)とを繰り返し、目的厚さの金属層を形成する工程と、を含む。
Claim (excerpt)：
目的厚さの金属層を気相成長法(CVD)で形成する方法であって、(A)目的厚さと較べて著しく薄い厚さの金属層をCVDで堆積する工程と、(B)前記工程(A)の後、原料を供給せず、堆積した層の表面状態を変化させる工程と、(C)前記工程(A)と、(B)とを繰り返し、目的厚さの金属層を形成する工程と、を含む金属層の形成方法。
IPC (4)：
H01L 21/285 ,  H01L 21/285 301 ,  C23C 16/18 ,  H01L 21/768
FI (4)：
H01L 21/285 C ,  H01L 21/285 301 Z ,  C23C 16/18 ,  H01L 21/90 A
F-Term (45)：
4K030AA11 ,  4K030BA01 ,  4K030BA17 ,  4K030BA18 ,  4K030BA22 ,  4K030CA04 ,  4K030FA10 ,  4K030HA01 ,  4K030HA15 ,  4K030LA15 ,  4M104BB04 ,  4M104BB13 ,  4M104BB14 ,  4M104BB17 ,  4M104BB18 ,  4M104DD16 ,  4M104DD17 ,  4M104DD44 ,  4M104DD45 ,  4M104HH16 ,  5F033HH18 ,  5F033HH21 ,  5F033HH32 ,  5F033HH33 ,  5F033JJ01 ,  5F033JJ18 ,  5F033JJ21 ,  5F033JJ32 ,  5F033JJ33 ,  5F033KK11 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033PP02 ,  5F033PP04 ,  5F033PP11 ,  5F033PP15 ,  5F033PP27 ,  5F033PP33 ,  5F033QQ25 ,  5F033QQ48 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033XX10
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (8)
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