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J-GLOBAL ID：200903006779557093

半導体デバイス

Inventor： ドナルド・ドミニク・アーノン ,  アンドリュー・ジェームズ・シールズ ,  クライグ・マイケル・シーズラ ,  リチャード・アンドリュー・ホグ ,  デイビッド・マーク・ウィットテイカー ,  アレクサンダー・ジルス・デイビーズ ,  エドモンド・ハロルド・リンフィールド
Applicant, Patent owner： トーシバ・リサーチ・ヨーロップ・リミテッド
Agent (1)： 鈴江 武彦 (外4名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999314136
Publication number (International publication number)：2000162656
Application date： Nov. 04, 1999
Publication date： Jun. 16, 2000
Summary：

【要約】【課題】望ましい周波数の出射放射光線が効率的に得られる光学デバイスを提供する。【解決手段】光学デバイスは、光学変調領域を有する。光学変調領域は、少なくとも1つの入射放射光線ビーム7、8による照射に応答して光学変調領域内を伝播する、2つの異なる周波数の信号の間の位相整合を増強するための位相整合手段1を有する。位相整合手段1は、入射放射光線ビーム7、8の通路に沿ってその屈折率において空間的変化5を有する。

Claim (excerpt)：

光学変調領域を具備し、前記光学変調領域は、少なくとも1つの入射放射光線ビームによる照射に応答して前記光学変調領域内を伝播する、少なくとも2つの異なる周波数の信号の間の位相整合を増強するための位相整合手段を具備し、前記位相整合手段は、前記入射放射光線ビームのある方向成分に沿ってその屈折率において空間的変化を有し、少なくとも2つの異なる周波数の信号が同位相を維持する前記変調領域内の距離を最大とするように構成される、ことを特徴とする光学デバイス。

IPC (2)：

G02F 1/377 ,  G02F 1/39

FI (2)：

G02F 1/377 ,  G02F 1/39

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 波長変換装置および波長変換方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-189396   Applicant：沖電気工業株式会社

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• レーザ工学入門, 19970801, pp.220-225
• レーザ工学入門, 19970801, pp.220-225