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J-GLOBAL ID：200903006781507885

レーザーCVD薄膜形成装置

Inventor： 井上 直樹 ,  中岡 春雪 ,  東 秀樹 ,  森川 茂
Applicant, Patent owner： 大阪瓦斯株式会社
Agent (1)： 北村 修
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991298871
Publication number (International publication number)：1993140753
Application date： Nov. 14, 1991
Publication date： Jun. 08, 1993
Summary：

【要約】【目的】 レーザー光束を制御するレーザー光制御手段を備え、レーザー光束を基板の薄膜形成面の近傍で、且つこの面に概平行に照射して、基板上に薄膜を形成するレーザーCVD薄膜形成装置を、成膜段階において積極的に成膜状況を制御し、均一な膜厚を備えた薄膜形成がおこなえるものとする。【構成】レーザー光束9の光路に沿って基板4上に形成される薄膜6の膜厚を検出する膜厚検出手段13と、レーザー光束9の薄膜形成面4aに対する照射角度もしくは距離あるいはそれらの両方を変更するレーザー光束照射調節手段12とを備え、さらに、膜厚検出手段13の検出結果に基づいてレーザー光束照射調節手段12を動作制御する膜厚調整手段14が設けられているものとする。

Claim (excerpt)：

レーザー光束(9)を制御するレーザー光制御手段(11)を備え、前記レーザー光束(9)を基板(4)の薄膜形成面(4a)の近傍で、且つこの面(4a)に概平行に照射して、前記基板(4)上に薄膜(6)を形成するレーザーCVD薄膜形成装置であって、前記レーザー光束(9)の光路に沿って前記基板(4)上に形成される薄膜(6)の膜厚を検出する膜厚検出手段(13)と、前記レーザー光束(9)の前記薄膜形成面(4a)に対する照射角度もしくは距離あるいはそれらの両方を変更するレーザー光束照射調節手段(12)とを備え、さらに、前記膜厚検出手段(13)の検出結果に基づいて前記レーザー光束照射調節手段(12)を動作制御する膜厚調整手段(14)が設けられているレーザーCVD薄膜形成装置。

IPC (2)：

C23C 16/52 ,  C23C 16/48

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 特開昭63-033813
  
• 特開昭61-113233