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J-GLOBAL ID：200903006785448123

非還元性誘電体磁器の製造方法

Inventor： 西 山 俊 樹 ,  浜 地 幸 生 ,  坂 部 行 雄
Applicant, Patent owner： 株式会社村田製作所
Agent (1)： 岡田 全啓
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991314139
Publication number (International publication number)：1993124857
Application date： Oct. 30, 1991
Publication date： May. 21, 1993
Summary：

【要約】【目的】 組織が均一で異相がなく、特性面でも特性値の標準偏差が小さく、信頼性試験においても不良発生が非常に少ない非還元性誘電体磁器を得るための、非還元性誘電体磁器の製造方法を得る。【構成】 BaTiO3 と、Tb2 O3 ,Dy2 O3 ,Ho2 O3 ,Er2 O3 の中から選ばれる少なくとも1種類と、Co2 O3 とを主成分とする材料を準備する。これらの材料のうち、BaTiO3 以外の主成分および副成分を予め混合粉砕し、平均粒子径を0.2〜1.0μmにして混合粉砕物を作製する。この混合粉砕物とBaTiO3 とを混合分散させて、磁器材料を得る。この磁器材料を成形,焼成して、非還元性誘電体磁器を得る。

Claim (excerpt)：

BaTiO3 と、Tb2 O3 ,Dy2 O3 ,Ho2 O3 ,Er2 O3 の中から選ばれる少なくとも1種類と、Co2 O3 とを主成分とする非還元性誘電体磁器の製造方法において、前記BaTiO3 以外の主成分および副成分を予め混合粉砕し、平均粒子径を0.2〜1.0μmにして混合粉砕物を作製する工程、および前記混合粉砕物と前記BaTiO3 とを混合分散させる工程を含むことを特徴とする、非還元性誘電体磁器の製造方法。

IPC (3)：

C04B 35/46 ,  C04B 33/24 ,  H01B 3/12 303