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J-GLOBAL ID：200903006803218785

半導体装置の製造方法およびそれを用いて製造した半導体装置

Inventor： 篠田 和典 ,  大家 彰 ,  佐藤 宏
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 作田 康夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000217212
Publication number (International publication number)：2002033305
Application date： Jul. 13, 2000
Publication date： Jan. 31, 2002
Summary：

【要約】【課題】結晶欠陥の少ない埋込再成長界面を実現する化合物半導体のエッチング方法を提供する。【解決手段】ドライエッチングにより形成したメサの損傷層除去に、臭化水素酸濃度0.50±0.25モル/リットル、臭素濃度0.02±0.01モル/リットルの範囲の臭化水素酸と臭素と水の混合液によるウェットエッチングを用いる。

Claim (excerpt)：

あらかじめマスクパターンを形成した、少なくとも一つのIII-V族化合物半導体層を有する半導体多層基板に、第1のエッチングにより溝を形成する工程と、上記溝の表面を第2のエッチングにより食刻する工程とを有する半導体装置の製造方法において、上記第2のエッチングが、臭化水素酸と臭素と水の混合液を用いたウェットエッチングであり、上記混合液の組成が、臭化水素酸濃度0.50±0.25モル/リットル、臭素濃度0.02±0.01モル/リットルの範囲であることを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (8)：

H01L 21/306 ,  G02F 1/017 503 ,  G02F 1/025 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 31/10 ,  H01S 5/02 ,  H01S 5/227 ,  H01S 5/323

FI (9)：

G02F 1/017 503 ,  G02F 1/025 ,  H01S 5/02 ,  H01S 5/227 ,  H01S 5/323 ,  H01L 21/306 S ,  H01L 21/302 N ,  H01L 21/306 B ,  H01L 31/10 A

F-Term (47)：

2H079AA02 ,  2H079AA13 ,  2H079BA01 ,  2H079CA04 ,  2H079DA16 ,  2H079DA22 ,  2H079EA03 ,  2H079EA08 ,  2H079EB04 ,  2H079HA11 ,  2H079JA07 ,  5F004AA06 ,  5F004CA02 ,  5F004CA03 ,  5F004DA00 ,  5F004DA02 ,  5F004DA16 ,  5F004DA24 ,  5F004DA26 ,  5F004DB20 ,  5F004DB22 ,  5F004EA10 ,  5F043AA14 ,  5F043AA15 ,  5F043BB07 ,  5F043BB08 ,  5F043DD07 ,  5F043DD15 ,  5F043EE10 ,  5F043FF05 ,  5F049MA04 ,  5F049MB07 ,  5F049NA08 ,  5F049NA18 ,  5F049NB01 ,  5F049PA14 ,  5F049QA02 ,  5F049SS04 ,  5F073AA22 ,  5F073AA45 ,  5F073AA74 ,  5F073CA12 ,  5F073CB02 ,  5F073CB11 ,  5F073DA23 ,  5F073DA35 ,  5F073EA29