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J-GLOBAL ID：200903006817657170
多重量子井戸半導体レーザ装置
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
鈴江 武彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992248329
Publication number (International publication number)：1994097586
Application date： Sep. 17, 1992
Publication date： Apr. 08, 1994
Summary：
【要約】【目的】量子井戸の利得をできる限り大きくし、また、閾値が低く、温度特性の優れた多重量子井戸レーザを提供する。【構成】化合物半導体基板110上には、多重量子井戸構造の活性層、および、少なくとも該活性層を挾み込むように形成されるクラッド層111,116が形成される。該活性層の量子井戸層113が、In<SB>x </SB>(Ga<SB>1-y </SB>Al<SB>y </SB>)<SB>1-x </SB>Pであり、また、該活性層の障壁層114が、In<SB>n </SB>(Ga<SB>1-m </SB>Al<SB>m </SB>)<SB>1-n </SB>P(但し、y<m 、m=0.5〜0.7)である。前記量子井戸層113の厚さの総和が、15[nm]〜40[nm]である。
Claim (excerpt)：
化合物半導体基板上に、多重量子井戸構造の活性層と、少なくとも該活性層を挾み込むように形成されるクラッド層とを有する多重量子井戸半導体レーザ装置において、前記活性層の量子井戸層が、In<SB>x </SB>(Ga<SB>1-y </SB>Al<SB>y </SB>)<SB>1-x </SB>P、前記活性層の障壁層が、In<SB>n </SB>(Ga<SB>1-m </SB>Al<SB>m </SB>)<SB>1-n </SB>P(但し、y<m 、m=0.5〜0.7)であり、前記量子井戸層の厚さの総和が、15[nm]〜40[nm]であることを特徴とする多重量子井戸半導体レーザ装置。
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (6)
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