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J-GLOBAL ID：200903006828441705

光ファイバ及びそれを用いたファイバグレーティングの製造方法

Inventor： 田中 正俊 ,  山取 真也
Applicant, Patent owner： 三菱電線工業株式会社
Agent (11)： 前田 弘 ,  小山 廣毅 ,  竹内 宏 ,  嶋田 高久 ,  竹内 祐二 ,  今江 克実 ,  藤田 篤史 ,  二宮 克也 ,  原田 智雄 ,  後藤 高志 ,  井関 勝守
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003157414
Publication number (International publication number)：2004361526
Application date： Jun. 03, 2003
Publication date： Dec. 24, 2004
Summary：

【課題】紫外線を伝送するときや放射線が照射された環境下で使用されるときでも、伝送損失が低く、また、長時間の水素ドープ処理を必要とせずにファイバグレーティングを製造することができる光ファイバを提供する。【解決手段】光ファイバ10は、コア11と、コア11を覆うように設けられたクラッド12と、を備えた石英ガラス製のものである。光ファイバ10は、クラッド12にコア11に沿って延びる細孔12aが形成されている。クラッド12の細孔12aは、両端が封止され、且つ、内部に25°Cで1気圧以上となる量の水素ガスが充填されている。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

コアと、該コアを覆うように設けられたクラッドと、を備え、該クラッドに該コアに沿って延びる細孔が形成された石英ガラス製の光ファイバであって、 上記クラッドの細孔は、両端が封止され、且つ、内部に25°Cで1気圧以上となる量の水素ガスが充填されている光ファイバ。

IPC (4)：

G02B6/20 ,  G02B6/00 ,  G02B6/10 ,  G02B6/16

FI (4)：

G02B6/20 Z ,  G02B6/00 376Z ,  G02B6/10 C ,  G02B6/16

F-Term (3)：

2H050AA01 ,  2H050AC62 ,  2H050AC82

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 特許第6496634号