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J-GLOBAL ID：200903006842796362

SOI基板における単結晶薄膜の膜厚測定方法

Inventor： 大田 豊 ,  吉沢 克夫 ,  中野 正剛 ,  片山 正健
Applicant, Patent owner： 信越半導体株式会社
Agent (1)： 山下 亮一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992137719
Publication number (International publication number)：1993306910
Application date： Apr. 28, 1992
Publication date： Nov. 19, 1993
Summary：

【要約】 (修正有)【目的】 高濃度ドープ層を有する単結晶薄膜の膜厚を非破壊で高精度に測定できる膜厚測定方法を提供する。【構成】 誘電体層13側にドーパント濃度1×1017atoms/cm3以上の埋め込み層12Aを有するSOI膜12を支持基板14上に接合して成るSOI基板11におけるSOI膜12の膜厚をフーリエ変換赤外分光光度計を用いて測定する方法で、マイケルソン干渉計を構成する固定鏡と移動鏡との光路差Δを連続的に変えて得られる干渉光をSOI基板11上に照射して得られる光路差-反射赤外光強度曲線f(Δ)を余弦フーリエ変換及び逆変換して得られる曲線Cf(Δ)と、曲線f(Δ)を正弦フーリエ変換及び逆変換して得られる曲線Sf(Δ)とを合成して得られる曲線Y(Δ)において、SOI膜厚に対応する光路差領域に存在する複数のピークの内、光路差の絶対値が最も小さいピークの光路差からSOI膜厚を求める。

Claim (excerpt)：

誘電体側にドーパント濃度1×1017atoms/cm3以上の高濃度ドープ層を有する単結晶薄膜を誘電体基板上に接合して成るSOI基板における前記単結晶薄膜の膜厚をフーリエ変換赤外分光光度計を用いて測定する方法であって、マイケルソン干渉計を構成する固定鏡と移動鏡との光路差Δを連続的に変えて得られる干渉光をSOI基板上に照射して得られる光路差-反射赤外光強度曲線f(Δ)を余弦フーリエ変換及び逆変換して得られる曲線Cf(Δ)と、同曲線f(Δ)を正弦フーリエ変換及び逆変換して得られる曲線Sf(Δ)とを合成して得られる曲線Y(Δ):Y(Δ)=√(Cf(Δ)2+Sf(Δ)2)において、単結晶薄膜厚に対応する光路差領域に存在する複数のピークの内、光路差の絶対値が最も小さいピークの光路差から単結晶薄膜の膜厚を求めることを特徴とするSOI基板における単結晶薄膜の膜厚測定方法。

IPC (2)：

G01B 11/06 ,  H01L 21/66