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J-GLOBAL ID：200903006852915920
半導体レーザ素子
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
小川 勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995280155
Publication number (International publication number)：1997129974
Application date： Oct. 27, 1995
Publication date： May. 16, 1997
Summary：
【要約】【課題】窒化物系材料においてp型キャリア濃度を向上させたコンタクト層を得るとともに、接触抵抗を低減する構造を設けることにより、素子抵抗や動作電圧を低減した青紫色波長領域で動作するレーザ素子を実現することにある。【解決手段】サファイア基板1上に、有機金属気相成長法を用いて、層3まで結晶成長する。次にリソグラフィとエッチングにより選択成長用絶縁膜マスクを形成し、層8まで選択成長する。さらに絶縁膜マスクを形成して、層8を正六角錐の周期的な形状として選択成長する。この後、p側とn側電極を蒸着し、導波路ストライプに垂直な方向で劈開する。【効果】p型コンタクト層とp側電極の接触抵抗が改善でき、注入電流20mA時の素子動作電圧を従来の3.6Vに対して3.2〜3.4Vにまで低減できた。
Claim (excerpt)：
単結晶基板上に設ける発光素子において、禁制帯幅の小さな発光活性層が禁制帯幅の大きな光導波層に挾まれた二重接合構造を有した半導体導波路構造に対して、導電性を有する該光導波層上に設けた、電極コンタクト層の形状を規定し、該コンタクト層には周期的な3次元形状を持たせてあり、電極とコンタクト層の接触面積をできるだけ大きくし、結晶構造の面方位をより多く含んだ3次元形状を設けてある該コンタクト層の表面が電極と直接接触していることを特徴とする半導体レーザ素子。
IPC (2)：
FI (2)：
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