Pat
J-GLOBAL ID：200903006856799453
露光マスク
Inventor：
,
,
,
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
木村 高久
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991294540
Publication number (International publication number)：1993061183
Application date： Nov. 11, 1991
Publication date： Mar. 12, 1993
Summary：
【要約】 (修正有)【目的】 転写装置の解像限界を向上せしめると共に、一定の光量で忠実なパターン転写を行うことのできる露光マスクおよびその製造方法を提供する。【構成】 本発明の第1の露光マスクでは、ある範囲の寸法をもつマスクパターンでは、遮光膜パターンの代わりに、半透明膜パターンを用いる。また本発明の第2の露光マスクでは、露光光に対する光路長が異なるように構成されたシフト膜と、この膜の上層または下層に形成されたマスク基板と露光光に対して所定の透過率を有するように構成された透過率調整層としての半透明膜との積層構造で構成する。本発明の第3では位相シフタを構成する材料の振幅透過率を調整することにより、コントラスト向上に効果的なシフタ幅を大きくし、シフタ幅に必要とされる精度を緩和する。
Claim (excerpt)：
透光性基板と、前記透光性基板上に配設された遮光性材料からなるマスクパターンとを具備した露光用マスクにおいて、マスクパターンとして、露光光に対する光路長が異なるように構成された半透明膜パターンを含むようにしたことを特徴とする露光用マスク。
IPC (2)：
FI (2)：
H01L 21/30 301 P
, H01L 21/30 311 W
Cited by applicant (1)
Cited by examiner (6)
Show all
Return to Previous Page
