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J-GLOBAL ID：200903006870711089

ドライエッチング装置及び半導体の製造方法

Inventor： 山下 良美
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 井桁 貞一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994025763
Publication number (International publication number)：1995235517
Application date： Feb. 24, 1994
Publication date： Sep. 05, 1995
Summary：

【要約】【目的】 ドライエッチング装置に関し、ウエーハ表面に付着する塵埃を減少することを目的とする。【構成】 チャンバ4内でウエーハ1表面をエッチングするドライエッチング装置において,ウエーハ1の表面近傍にウエーハ1表面に平行な帯状光ビーム2を照射する光ビーム発生源3を有し,帯状光ビーム2に照射された塵埃を気化することを特徴として構成する。

Claim (excerpt)：

チャンバ(4)内でウエーハ(1)表面をエッチングするドライエッチング装置において,該ウエーハ(1)の表面近傍に,照射された塵埃が気化する光強度を有し,該ウエーハ(1)表面に平行な帯状光ビーム(2)を発生する光ビーム発生源(3)を有することを特徴とするドライエッチング装置。

IPC (5)：

H01L 21/302 ,  H01L 21/26 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 21/306 ,  H01L 21/304 341

FI (4)：

H01L 21/302 Z ,  H01L 21/26 L ,  H01L 21/302 N ,  H01L 21/302 P