半導体装置およびその作製方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993172711
Publication number (International publication number)：1995078782
Application date： Jun. 18, 1993
Publication date： Mar. 20, 1995
Summary：

【要約】【目的】薄膜トランジスタにおいて、ソース/ドレイン領域へのコンタクトの方法を改良する。【構成】概略三角形状の絶縁物22によって、ソース/ドレイン領域へのコンタクト部を自己整合的に決める。この構成をとることにより、マスク合わせを行わずに25の距離を決めることができ、しかもその距離を短くできるので、ソース/ドレイン領域の抵抗があまり問題とならない構成を実現できる。また28をシリサイド層とすることによって、ソース/ドレイン領域のシート抵抗を下げ、TFTの特性を向上させることができる。

Claim (excerpt)：

ゲイト電極側面の絶縁層に密接して概略三角形状の絶縁物が設けられ、ソース/ドレイン領域表面には、シリサイド層が形成されており、前記絶縁物によって、ソース領域及びドレイン領域へのコンタクト位置が定まっていることを特徴とする半導体装置。

IPC (6)：

H01L 21/265 , H01L 21/266 , H01L 21/28 301 , H01L 21/3205 , H01L 21/336 , H01L 29/786

FI (5)：

H01L 21/265 S , H01L 29/78 311 P , H01L 21/265 M , H01L 21/88 F , H01L 29/78 311 G

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

特開昭63-318779
特開平3-203322
特開平4-360580

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