Pat
J-GLOBAL ID：200903006885213263
位相シフトマスク及びその製造方法
Inventor：
,
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
阿仁屋 節雄 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992232115
Publication number (International publication number)：1994083027
Application date： Aug. 31, 1992
Publication date： Mar. 25, 1994
Summary：
【要約】【目的】 比較的単純な工程で製造でき、かつ、高解像度のパターン転写が可能な位相シフトマスク及びその製造方法を得る。【構成】 マスクパターン6を、光透過部4と位相シフト機能をも持たせた光半透過部5とで構成することにより、光透過部4と光半透過部5との境界部近傍を通過した光が互いに打ち消しあうようにして境界部のコントラストを良好に保持できるようにした位相シフトマスク1において、光半透過部5を高透過率層5bと低透過率層5bとを重ねて構成するとともに、高透過率層5bを構成する材料と低透過率層5aを構成する材料との組み合わせを、同一種類のエッチング媒質を用いたエッチングを施すことができる組み合わせに選定した。
Claim (excerpt)：
微細パターン露光を施すためのマスクであって、透明基板上に形成するマスクパターンを、実質的に露光に寄与する強度の光を透過させる光透過部と実質的に露光に寄与しない強度の光を透過させる光半透過部とで構成し、かつ、この光半透過部を通過する光の位相をシフトさせて該光半透過部を通過した光の位相と前記光透過部を通過した光の位相とを異ならしめることにより、前記光透過部と光半透過部との境界部近傍を通過した光が互いに打ち消しあうようにして境界部のコントラストを良好に保持できるようにした位相シフトマスクにおいて、前記光半透過部を高透過率層と低透過率層とを重ねて構成するとともに、前記高透過率層を構成する材料と前記低透過率層を構成する材料との組み合わせを、同一種類のエッチング媒質でエッチングを施すことができる組み合わせに選定したことを特徴とする位相シフトマスク。
IPC (2)：
FI (2)：
H01L 21/30 301 P
, H01L 21/30 311 W
