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J-GLOBAL ID：200903006909307833

不揮発性半導体メモリのファイル構造

Inventor： カート・ブライアン・ロビンソン ,  デイル・ケイ・エルバート ,  マーカス・エイ・レヴィ
Applicant, Patent owner： インテル・コーポレーション
Agent (1)： 山川 政樹
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991356593
Publication number (International publication number)：1994139140
Application date： Dec. 25, 1991
Publication date： May. 20, 1994
Summary：

【要約】【目的】 ブロック単位でのみ消去可能であるが、第1の論理状態から第2の論理状態に重ね書きすることは不可能である不揮発性半導体メモリのファイル構造の提供。【構成】 不揮発性半導体メモリは第1のファイルを記憶するアクティブブロックと、第2のファイルを記憶する予約ブロックと、ディレクトリブロックとを具備する。第2のファイルは第1のファイルのコピーである。そのコピーはアクティブブロックの消去に先立ってクリーンアップ動作中に作成される。ディレクトリブロックは、第1のファイルを識別するためのディレクトリエントリから成る。

Claim (excerpt)：

ブロック単位でのみ消去可能である不揮発性半導体メモリであって、その各ビットをあらかじめ消去せずに第1の論理状態から第2の論理状態に重ね書きすることは不可能であるが、各ビットをあらかじめ消去せずに第2の論理状態から第1の論理状態に重ね書きすることは可能であるような不揮発性半導体メモリにおいて、(A)第1のファイルを記憶するアクティブブロックと;(B)アクティブブロックの消去に先立ってクリーンアップ動作中に作成される第1のファイルのコピーである第2のファイルを記憶する予約ブロックと;(C)第1のファイルを識別するためのディレクトリエントリから成るディレクトリブロックとを具備する不揮発性半導体メモリ。

IPC (2)：

G06F 12/06 510 ,  G06F 12/00 520

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (9)

• 特開昭62-102385
  
• 特開昭62-283496
  
• 特開平2-094198
  
• 特開平2-311935
  
• 特開平4-084216
  
• 特開平4-157699
  
• 特開平2-292798
  
• 特開平4-222997
  
• 特開昭61-113103
  

Cited by examiner (4)

• 特開昭62-102385
  
• 特開昭62-283496
  
• 特開平2-094198
  
• 特開平2-311935