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J-GLOBAL ID：200903006914640214

荷電粒子照射装置およびその運転方法

Inventor： 秋山 浩 ,  平本 和夫 ,  松田 浩二 ,  乗峯 哲朗
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 小川 勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997232111
Publication number (International publication number)：1998282300
Application date： Aug. 28, 1997
Publication date： Oct. 23, 1998
Summary：

【要約】【課題】荷電粒子ビームの照射野の境界における半影ボケを低減し、荷電粒子ビームの照射装置を小型化する。【解決手段】走査電磁石50,60が発生する磁場の方向および強度にかかわらず、荷電粒子ビーム中心が常に散乱体20の中心を通過するように、4極電磁石1〜5および偏向電磁石6〜8の磁場を制御する。

Claim (excerpt)：

荷電粒子ビームを走査する走査磁石、および、前記荷電粒子ビームを散乱する散乱体と、前記散乱体で散乱された前記荷電粒子ビームを照射対象の形状に形成するコリメータとを備え、前記コリメータで成形された荷電粒子ビームを前記照射対象に照射する荷電粒子照射装置において、前記荷電粒子ビームが、前記走査磁石が発生する磁場の強度によらず、前記散乱体中のほぼ同じ通過点を通過することを特徴とする荷電粒子照射装置。

IPC (4)：

G21K 5/04 ,  A61N 5/10 ,  G21K 1/093 ,  H01J 37/21

FI (4)：

G21K 5/04 A ,  A61N 5/10 D ,  G21K 1/093 D ,  H01J 37/21 Z