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J-GLOBAL ID：200903006940814247
低抵抗Cu-Ag合金膜の形成方法及び低抵抗Cu-Ag合金膜形成用組成物
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
重野 剛
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995086828
Publication number (International publication number)：1996283945
Application date： Apr. 12, 1995
Publication date： Oct. 29, 1996
Summary：
【要約】【構成】 有機Cu(I)化合物?@の蒸気と有機Ag(I)化合物?Aの蒸気とを分解させて基板上に低抵抗Cu-Ag合金を堆積させる。【化6】【効果】 有機Cu(I)化合物と有機Ag(I)化合物との組み合わせによる不均化反応を利用して低温反応で基板上に均一かつ緻密で高純度なCu-Ag合金を堆積させることができる。CuとAgとの合金化で、低抵抗でマイグレーション耐性及び機械的強度に優れた膜を形成できる。
Claim (excerpt)：
有機Cu(I)化合物の蒸気と有機Ag(I)化合物の蒸気とを分解させることにより基板上に低抵抗Cu-Ag合金を堆積させることを特徴とする低抵抗Cu-Ag合金膜の形成方法。
IPC (2)：
FI (2)：
C23C 16/18
, H01L 21/285 C
