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J-GLOBAL ID：200903006952752913

磁気トランスデューサおよび磁気記録装置

Inventor： 田所 茂 ,  今川 尊雄 ,  渡辺 克朗 ,  熊谷 昭
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 高田 幸彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995116894
Publication number (International publication number)：1996102417
Application date： May. 16, 1995
Publication date： Apr. 16, 1996
Summary：

【要約】【目的】生産性、信頼性及び耐熱性の向上に結び付く反強磁性体を用いた磁気トランスデューサを提供する。【構成】磁気トランスデューサに用いられる磁性積層膜は、例えばガラス材からなる基板100上に、例えばNiFe合金膜からなる強磁性体としての強磁性膜101を形成し、その上層部に、例えばCr合金膜からなって、体心立方格子結晶構造を有する反強磁性体としての反強磁性膜102を積層した構成である。

Claim (excerpt)：

強磁性体と、該強磁性体に密着する反強磁性体とを含む磁気トランスデューサであって、前記強磁性体に一方向異方性を発現させるための前記反強磁性体は、少なくとも該反強磁性体の一部が体心立方格子の結晶構造を有することを特徴とする磁気トランスデューサ。

IPC (5)：

H01F 10/08 ,  C22C 27/06 ,  G01R 33/09 ,  G11B 5/31 ,  H01L 43/08

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 磁気抵抗効果ヘッド
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-134978   Applicant：日本電気株式会社
• 特開平4-285713
  
• 特開昭63-273372