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J-GLOBAL ID:200903006968481006

スチレン系高分子電解質及びその製造方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 大谷 保
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2002207278
Publication number (International publication number):2004055165
Application date: Jul. 16, 2002
Publication date: Feb. 19, 2004
Summary:
【課題】スチレン系樹脂のスルホン化体の長期使用時の劣化の原因となるジビニルベンゼンを用いることなく、長期に渡って構造を維持できる高い安定性を有し、且つ安価なスチレン系樹脂からなる高分子電解質及びそれからなる高分子電解質膜を提供する。【解決手段】主としてシンジオタクチック構造を有するポリスチレン(以下、SPSと略称する)と、該SPS不溶性溶媒に可溶な樹脂とを含む混合物から成形体を形成し、該成形体中の該樹脂を該SPS不溶性溶媒を用いて除去することにより該成形体中に細孔を形成した後、該成形体を構成しているSPSにイオン交換基を導入することを特徴とする高分子電解質の製造方法。【選択図】 なし
Claim (excerpt):
主としてシンジオタクチック構造を有するポリスチレンからなる多孔質成形体にイオン交換基を導入してなることを特徴とする高分子電解質。
IPC (11):
H01B1/06 ,  B01D71/28 ,  B01D71/82 ,  B01J47/12 ,  C08F2/44 ,  C08F8/00 ,  C08F12/04 ,  C08F291/00 ,  C08J9/26 ,  H01B13/00 ,  H01M8/02
FI (13):
H01B1/06 A ,  B01D71/28 ,  B01D71/82 500 ,  B01J47/12 C ,  B01J47/12 D ,  C08F2/44 C ,  C08F8/00 ,  C08F12/04 ,  C08F291/00 ,  C08J9/26 102 ,  C08J9/26 ,  H01B13/00 Z ,  H01M8/02 P
F-Term (75):
4D006GA41 ,  4D006MA03 ,  4D006MA13 ,  4D006MA14 ,  4D006MB07 ,  4D006MC24X ,  4D006MC73 ,  4D006MC74X ,  4D006MC78 ,  4D006NA05 ,  4D006PA02 ,  4D006PA04 ,  4D006PB03 ,  4D006PB66 ,  4D006PC80 ,  4F074AA32 ,  4F074AB01 ,  4F074CB03 ,  4F074CB17 ,  4F074CB28 ,  4F074CD17 ,  4F074DA49 ,  4J011PA63 ,  4J011PA65 ,  4J011PA83 ,  4J011PB40 ,  4J011PC02 ,  4J011PC08 ,  4J026AA17 ,  4J026AA57 ,  4J026AC36 ,  4J026BA05 ,  4J026BB01 ,  4J026DB02 ,  4J026DB09 ,  4J026DB17 ,  4J026EA03 ,  4J026EA09 ,  4J026GA06 ,  4J100AB01P ,  4J100AB02P ,  4J100AB04P ,  4J100AB07P ,  4J100AB08P ,  4J100AB09P ,  4J100AB10P ,  4J100BA29H ,  4J100BA56H ,  4J100BA64H ,  4J100BA72P ,  4J100BB01P ,  4J100BB03P ,  4J100BB05P ,  4J100BC43P ,  4J100CA01 ,  4J100CA04 ,  4J100CA12 ,  4J100CA31 ,  4J100DA01 ,  4J100DA39 ,  4J100DA56 ,  4J100FA10 ,  4J100FA18 ,  4J100FA19 ,  4J100HA61 ,  4J100HB52 ,  4J100JA16 ,  5G301CA30 ,  5G301CD01 ,  5H026AA06 ,  5H026BB08 ,  5H026BB10 ,  5H026CX05 ,  5H026HH00 ,  5H026HH05
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (2)
  • 微多孔膜を製造する方法
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願平6-289499   Applicant:旭化成工業株式会社
  • 特開平2-094261

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