Pat
J-GLOBAL ID:200903006968542986
縦型CVD装置及び同装置を使用するCVD方法
Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (5):
鈴江 武彦
, 河野 哲
, 中村 誠
, 村松 貞男
, 橋本 良郎
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2005178009
Publication number (International publication number):2006013490
Application date: Jun. 17, 2005
Publication date: Jan. 12, 2006
Summary:
【課題】被処理基板上に形成された膜の特性に関して面間均一性を向上させる。【解決手段】縦型CVD装置は、処理室8内に処理ガスを供給する供給系42、44と、装置の動作を制御する制御部5とを含む。供給系42、44は、第1反応ガスを供給する第1反応ガスライン60に接続された複数の第1供給孔53と、第2反応ガスを供給する第2反応ガスライン62に接続された複数の第2供給孔53とを含む。第1供給孔53のセット及び第2供給孔53のセットの夫々は、積重ねられた被処理基板の全体に亘るように被処理基板Wのエッジの横で垂直方向に配列される。制御部5は、第1及び第2反応ガスを交互に供給するように供給系42、44を制御することにより、第1及び第2反応ガスに由来する薄膜を被処理基板W上に形成する。【選択図】 図1
Claim (excerpt):
複数の被処理基板に対して一緒にCVD処理を施すための縦型CVD装置であって、
前記被処理基板を収納する気密な処理室と、
前記処理室内で前記被処理基板を互いに間隔をあけて積重ねた状態で保持する保持具と、
前記処理室の内部雰囲気を加熱するヒータと、
前記処理室内を排気する排気系と、
前記処理室内に処理ガスを供給する供給系と、前記供給系は、第1反応ガスを供給する第1反応ガスラインに接続された複数の第1供給孔と、第2反応ガスを供給する第2反応ガスラインに接続された複数の第2供給孔とを具備することと、前記第1供給孔のセット及び前記第2供給孔のセットの夫々は、積重ねられた前記被処理基板の実質的に全体に亘るように前記被処理基板のエッジの横で垂直方向に配列されることと、
第1及び第2工程を複数繰り返し実行することにより、前記第1及び第2反応ガスに由来する薄膜を前記被処理基板上に形成するように、前記装置の動作を制御する制御部と、前記第1工程は、前記第1及び第2反応ガスの一方のガスを供給すると共に他方のガスを停止することにより、前記被処理基板の表面に前記一方のガスを吸着させることと、前記第2工程は、前記他方のガスを供給すると共に前記一方のガスを停止することにより、前記被処理基板の表面に吸着する前記一方のガスに、前記他方のガスを作用させることと、
を具備する縦型CVD装置。
IPC (3):
H01L 21/31
, C23C 16/52
, H01L 21/318
FI (3):
H01L21/31 B
, C23C16/52
, H01L21/318 B
F-Term (48):
4K030AA06
, 4K030AA09
, 4K030AA11
, 4K030AA13
, 4K030AA14
, 4K030AA18
, 4K030BA40
, 4K030BA42
, 4K030BA43
, 4K030CA04
, 4K030CA12
, 4K030EA03
, 4K030EA06
, 4K030FA10
, 4K030GA07
, 4K030HA01
, 4K030JA11
, 4K030KA04
, 4K030KA41
, 4K030LA15
, 5F045AA15
, 5F045AB31
, 5F045AB33
, 5F045AC05
, 5F045AC07
, 5F045AC12
, 5F045AC15
, 5F045AC16
, 5F045AC19
, 5F045AD09
, 5F045BB02
, 5F045DP19
, 5F045DQ05
, 5F045EC02
, 5F045EE14
, 5F045EE15
, 5F045EE19
, 5F045EE20
, 5F045EF03
, 5F045EF20
, 5F045EK06
, 5F058BD10
, 5F058BD13
, 5F058BF02
, 5F058BF27
, 5F058BF30
, 5F058BF31
, 5F058BF36
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (3)
-
米国特許第6,585,823B1公報
-
基板処理装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2001-234841
Applicant:株式会社日立国際電気
-
基板処埋装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2002-104011
Applicant:株式会社日立国際電気
Cited by examiner (5)
-
成膜方法、成膜装置、および半導体装置の製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2002-179743
Applicant:株式会社東芝, 富士通株式会社
-
薄膜形成装置および形成方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平5-249074
Applicant:株式会社日立製作所
-
特開平4-326512
-
基板処理装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2004-066740
Applicant:株式会社日立国際電気
-
気相成長装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平3-226145
Applicant:株式会社東芝
Show all
Return to Previous Page