Pat

J-GLOBAL ID：200903006973195720

研磨材、基板の研磨方法及び半導体装置

Inventor： 町井 洋一 ,  吉田 誠人 ,  須佐 憲三
Applicant, Patent owner： 日立化成工業株式会社
Agent (1)： 若林 邦彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999293525
Publication number (International publication number)：2001115144
Application date： Oct. 15, 1999
Publication date： Apr. 24, 2001
Summary：

【要約】【課題】 シリカ膜等の被研磨面を傷なく研磨できる研磨材を提供する。【解決手段】 中空微粒子又は内部に液相を含有する微粒子を媒体に分散させた研磨材、この研磨材を用いた基板の研磨方法及びこの研磨材を用いて研磨された基板を用いた半導体装置。

Claim (excerpt)：

中空微粒子を媒体に分散させた研磨材。

IPC (4)：

C09K 3/14 550 ,  C09K 3/14 ,  B24B 37/00 ,  H01L 21/304 622

FI (4)：

C09K 3/14 550 D ,  C09K 3/14 550 Z ,  B24B 37/00 H ,  H01L 21/304 622 D

F-Term (6)：

3C058AA07 ,  3C058CB02 ,  3C058CB10 ,  3C058DA02 ,  3C058DA12 ,  3C058DA17