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J-GLOBAL ID：200903007014121064

窒化物半導体素子

Inventor： 阿部 雅俊 ,  森岡 靖
Applicant, Patent owner： 日亜化学工業株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999071710
Publication number (International publication number)：2000269548
Application date： Mar. 17, 1999
Publication date： Sep. 29, 2000
Summary：

【要約】【目的】n型窒化物半導体層から発光層への不純物の拡散を防ぎ、かつ高い発光効率を維持した発光素子を提供する。【構成】基板上に、n型窒化物半導体層、活性層およびp型窒化物半導体層を有する窒化物半導体素子において、前記n型窒化物半導体層を、基板側から順に、アンドープの窒化物半導体層からなる第1のn型窒化物半導体層、n型不純物としてSiがドープされた窒化物半導体層からなる第2のn型窒化物半導体層、IV族のSiより原子番号の大きい元素からなるn型不純物がドープされた第3のn型窒化物半導体層の少なくとも3層とする。

Claim (excerpt)：

基板上に、n型窒化物半導体層、活性層およびp型窒化物半導体層を有する窒化物半導体素子において、前記n型窒化物半導体層が、基板側から順に、アンドープの窒化物半導体層からなる第1のn型窒化物半導体層、n型不純物としてSiがドープされた窒化物半導体層からなる第2のn型窒化物半導体層、Siとは異なるn型不純物がドープされた窒化物半導体層からなる第3のn型窒化物半導体層の少なくとも3層が積層された構造を有することを特徴とする窒化物半導体素子。

IPC (2)：

H01L 33/00 ,  H01S 5/343

FI (2)：

H01L 33/00 C ,  H01S 3/18 677

F-Term (12)：

5F041AA03 ,  5F041CA05 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA49 ,  5F041CA57 ,  5F041CA65 ,  5F073AA74 ,  5F073CA07 ,  5F073CB14 ,  5F073DA05