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J-GLOBAL ID:200903007050878228
太陽電池
Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
深見 久郎 (外3名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1992044852
Publication number (International publication number):1993243594
Application date: Mar. 02, 1992
Publication date: Sep. 21, 1993
Summary:
【要約】 (修正有)【目的】 変換効率の高い、高性能の太陽電池を提供する。【構成】 n型半導体基板の受光面側とは逆の表面上には、裏面電極が形成されている。また、n型半導体基板の受光面側の表面上には、n型半導体基板エピタキシャル層が形成されている。このn型半導体エピタキシャル層の表面上にはp型半導体エピタキシャル層が形成されている。このp型半導体エピタキシャル層の表面上には、電極1が形成されている。また、p型半導体エピタキシャル層の表面上は反射防止膜によって被覆されている。この受光面側に形成された電極1は、ハチの巣状をなしている。ハチの巣状の電極は、第1の電極部1bとこの第1の電極部に対して鋭角又は鈍角をなす第2の電極部1cとからなっている。
Claim (excerpt):
pn接合を介在させた1対の電極層を有する太陽電池において、前記1対の電極層の少なくとも一方が、その主表面に沿って第1の方向に延びる第1の枝部分と、前記第1の枝部分に接続され、かつ前記第1の方向と鋭角をなす第2の方向に延びる第2の枝部分とを含むことを特徴とする、太陽電池。
FI (2):
H01L 31/04 H
, H01L 31/04 Y
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