Pat
J-GLOBAL ID：200903007063787337
光集積形半導体レーザ
Inventor：
,
,
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
光石 俊郎 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996106497
Publication number (International publication number)：1997293927
Application date： Apr. 26, 1996
Publication date： Nov. 11, 1997
Summary：
【要約】【課題】 光通信及び光計測における光源として高速・低電圧駆動・低チャープ特性を持つ変調器を集積した集積形半導体レーザを提供する。【解決手段】 光集積形半導体レーザは、半導体レーザ12と、その半導体レーザ12の出射光を位相変化を利用して強度変調する前記半導体レーザと同一の基板上に形成された光強度変調器14a,14bと、これら2素子を同一の光共振器内に構成し、前記半導体レーザ12を直流駆動し、前記強度変調器14a,14bを大振幅動作させて変調光を発生する素子において、前記半導体レーザ12の出射光の偏光方向を光の電界ベクトルの方向が層に直交となるTM偏光とするものである。
Claim (excerpt)：
半導体レーザと、その半導体レーザの出射光を位相変化を利用して強度変調する前記半導体レーザと同一の基板上に形成された光強度変調器と、これら2素子を同一の光共振器内に構成し、前記半導体レーザを直流駆動し、前記強度変調器を大振幅動作させて変調光を発生する素子において、前記半導体レーザの出射光の偏光方向が、光の電界ベクトルの方向が層に直交するTM偏光であることを特徴とする光集積形半導体レーザ。
IPC (2)：
FI (2)：
Return to Previous Page
