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J-GLOBAL ID：200903007064115766
半導体装置の製造方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
高橋 敬四郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991299245
Publication number (International publication number)：1993136145
Application date： Nov. 14, 1991
Publication date： Jun. 01, 1993
Summary：
【要約】【目的】 エリアバンプを有する半導体装置の製造方法に関し、簡単な構成で半田バンプを作成することのできる半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。【構成】 エリアバンプを有する半導体装置の製造方法において、半導体チップ表面のエリアバンプを形成すべき箇所に半田合金を析出させるためのバリアメタル層を形成する工程と、前記バリアメタル層を形成した半導体チップ表面に、有機酸鉛と錫粉末を有機溶媒と混合してペースト状にしたペースト層を形成する工程と、前記半導体チップを熱処理して、前記バリアメタル層上に半田合金体を形成する工程とを含む。
Claim (excerpt)：
エリアバンプを有する半導体装置の製造方法において、半導体チップ(1)表面のエリアバンプを形成すべき箇所に半田合金を析出させるためのバリアメタル層(4)を形成する工程と、前記バリアメタル層を形成した半導体チップ表面に、有機酸鉛と錫粉末を有機溶媒と混合してペースト状にしたペースト層(5)を形成する工程と、前記半導体チップを熱処理して、前記バリアメタル層上に半田合金体(6)を形成する工程とを含む半導体装置の製造方法。
FI (2)：
H01L 21/92 D
, H01L 21/92 F
