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J-GLOBAL ID：200903007069316921

導体層付き絶縁基板における絶縁体層の部分的除去方法

Inventor： 麦島 利夫 ,  関 収 ,  大谷 健一 ,  松井 正和
Applicant, Patent owner： 古河電気工業株式会社 ,  古河サーキットフォイル株式会社
Agent (1)： 佐藤 正年 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992038539
Publication number (International publication number)：1993277774
Application date： Jan. 28, 1992
Publication date： Oct. 26, 1993
Summary：

【要約】【目的】 レーザエッチング時間を短縮し、レーザ加工効率を向上させると共に、金属配線パターンの微細化の要求に反することのない絶縁体層の部分的除去方法を提供すること。【構成】 導体層付き絶縁基板の絶縁体層に、レーザエッチングを行い所望の形状の孔や溝等を形成する際に、導体層の表面に該導体層材よりもレーザ光に対する反射率の大きな金属層を設け、該金属層と共に導体層をエッチングして所望の形状に該絶縁体層を露出させ、この露出させた絶縁体層を含む領域にレーザ光を照射することで、絶縁体層を選択的に除去するもの。

Claim (excerpt)：

導体層付き絶縁基板の絶縁体層に、導体層側からレーザ光を照射して光エネルギーを吸収させ、絶縁体層を光分解させて絶縁基板に所望の形状の孔や溝等を形成する際に、導体層付き絶縁基板における導体層の表面に、該導体層材よりもレーザ光に対する反射率の大きな金属層を設け、該金属層と共に導体層をエッチングして所望の形状に該絶縁体層を露出させ、この露出させた絶縁体層を含む領域にレーザ光を照射することで、該照射領域における導体層部を除いた部分の絶縁体層を選択的に除去することを特徴とする導体層付き絶縁基板における絶縁体層の部分的除去方法。

IPC (4)：

B23K 26/00 330 ,  H01L 21/60 311 ,  H01S 3/00 ,  H05K 3/00

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 特開昭52-152513