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J-GLOBAL ID：200903007074265189

薄膜トランジスタの製造方法

Inventor： 矢追 善史
Applicant, Patent owner： シヤープ株式会社
Agent (1)： 小森 久夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991241570
Publication number (International publication number)：1993082788
Application date： Sep. 20, 1991
Publication date： Apr. 02, 1993
Summary：

【要約】【目的】半導体膜とゲート絶縁膜を連続して形成し、しかも、半導体膜を複雑な構成を通すことなく島状パターンに加工する。【構成】半導体膜のトランジスタ素子領域以外の領域に、半導体膜を構成する元素と接合することによって絶縁体となる元素イオンを注入し、この後熱処理することによって前記イオン注入領域を絶縁膜とする。

Claim (excerpt)：

半導体膜のトランジスタ素子領域以外の領域に、半導体膜を構成する元素と接合することによって絶縁体となる元素イオンを注入し、この後熱処理することによって前記イオン注入領域を絶縁膜とすることを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。

IPC (4)：

H01L 29/784 ,  H01L 21/265 ,  H01L 21/76 ,  H01L 27/12

FI (2)：

H01L 29/78 311 R ,  H01L 21/265 J