Pat

J-GLOBAL ID：200903007079215538

薄膜半導体太陽電池の製造方法

Inventor： 遠山 上 ,  中川 克己 ,  山下 敏裕
Applicant, Patent owner： キヤノン株式会社
Agent (1)： 福森 久夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992289138
Publication number (International publication number)：1994140649
Application date： Oct. 27, 1992
Publication date： May. 20, 1994
Summary：

【要約】【目的】 本発明は、高い変換効率が得られ、しかも半導体層と金属層の直接の接触や欠陥箇所でのリーク電流が防止できる等とした薄膜太陽電池を、低コストで提供することを目的とする。【構成】 金属基板101、ターゲット102をスパッタリング装置内にセットし、該基板上に透明層103aを堆積する。次に、前記基板101全体をZnO表面が浸かるように、例えば10%酢酸水溶液の溶液に浸し、Alを陽極とし、基板101と同質の所定形状の金属板を陰極とし、所定の直流電圧を印加し、乾燥すると所定ピッチの透明層103aには凹凸が形成される。続いて、該基板を高周波CVD装置の反応容器にセットし、透明層103a上に半導体層105、106を形成させる。次に、所望の透明電極108のパターンを形成し、更に集電電極109を形成する。

Claim (excerpt)：

少なくともその表面が光に対して高い反射率を有する金属層を基板上に形成する工程と、該金属層上に微細な凹凸形状を有する透明層を形成することにより裏面反射層を形成する工程と、該裏面反射層上に薄膜半導体を形成し、さらに該薄膜半導体層上に透明な電極を形成する工程とから成る薄膜半導体太陽電池の製造方法において、前記透明層を堆積した後、該透明層の表面を溶液に浸しつつ、該溶液を介して、かつ、前記金属層を陽極として前記透明層表面に通電する工程を含むことを特徴とする薄膜半導体太陽電池の製造方法。