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J-GLOBAL ID：200903007082483969

プラズマCVD成膜方法と装置

Inventor： 石川 道夫 ,  中村 久三 ,  伊東 一幸 ,  橋本 征典 ,  戸川 淳 ,  谷 典明 ,  米▲崎▼ 武 ,  清水 康男 ,  一山 政博
Applicant, Patent owner： 日本真空技術株式会社
Agent (1)： 北村 欣一 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993176857
Publication number (International publication number)：1995037818
Application date： Jul. 16, 1993
Publication date： Feb. 07, 1995
Summary：

【要約】【目的】 成膜速度をあまり低減させずにパウダーの発生を抑制しながらプラズマCVDによる成膜を行なえる方法を提供すること、高速でプラズマクリーニングを可能にすること、これに適した装置を提供すること【構成】 高周波電力によるプラズマCVD成膜方法に於いて、真空槽内へエッチングガスを導入自在とし、該高周波電力を成膜時と、プラズマクリーニング時とでデューティ比を変更して投入する、真空槽にエッチングガス源を接続し、高周波電源をその高周波電力の変調周期とデューティー比を変更する制御手段を介して電極に接続する【効果】 成膜に伴い発生するパウダーの量を低減させることができ、これにより大きな高周波電力による長時間の成膜を行なえ、高周波電力の変調器とデューティー比変更器の制御手段を設けるだけの簡単な構成の装置で実施できる

Claim (excerpt)：

ガス導入系と排気系が接続された真空槽内に2個以上の電極を設け、その一方の電極に高周波電源から高周波電力を供給し、他方の電極上に基板を搭載し、該真空槽内へ導入したSiH4、NH3、N2O等の反応ガスをこれら電極間に発生させたプラズマにより分解して該基板に成膜する方法に於いて、該真空槽内へNF3、CHF3等のエッチングガスを導入自在とし、該高周波電力を反応ガスを導入しての基板への成膜時と、該エッチングガスを導入してのプラズマクリーニング時とでデューティ比を変更して投入することを特徴とするプラズマCVD成膜方法。

IPC (2)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/50

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• プラズマCVD法及び装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-327370   Applicant：日新電機株式会社
• 特開昭63-215037
  
• 特開昭60-140726