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J-GLOBAL ID：200903007085297767

硫化セレン化マンガン亜鉛系光半導体

Inventor： 林 茂生 ,  大川 和宏 ,  三露 常男
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 池内 寛幸 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992026482
Publication number (International publication number)：1993226261
Application date： Feb. 13, 1992
Publication date： Sep. 03, 1993
Summary：

【要約】【目的】 硫化セレン化マンガン亜鉛系エピタキシャル混晶膜を基板と格子整合して形成することにより、青色から紫外域の光半導体素子材料を提供する。【構成】 超高真空中でGaAs基板13a上に亜鉛分子線14cとマンガン分子線15cと硫黄分子線16cとセレン分子線17cとを同時に照射して、Zn<SB>1-X </SB>Mn<SB>X </SB>S<SB>Y </SB>Se<SB>1-Y </SB>(0<X<1,0<Y<1)混晶を得る。特に基板に格子整合するように分子線圧を調整して形成する。基板はGaAs,ZnSeなどを使用できる。

Claim (excerpt)：

亜鉛とマンガンと硫黄とセレンとを少なくとも含む硫化セレン化マンガン亜鉛系エピタキシャル混晶膜が基板上に形成されており、かつ前記エピタキシャル混晶膜が前記基板と格子整合している硫化セレン化マンガン亜鉛系光半導体。

IPC (3)：

H01L 21/205 ,  C30B 29/48 ,  H01L 21/203