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J-GLOBAL ID：200903007090936646
歪量子井戸半導体レーザ素子および歪量子井戸構造の作製方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
,
Agent (1)：
鈴木 雄一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991181878
Publication number (International publication number)：1993007054
Application date： Jun. 26, 1991
Publication date： Jan. 14, 1993
Summary：
【要約】【目的】 主に、波長1.3マイクロメートル帯で発振可能な歪量子井戸半導体レーザ素子を提供すると共に、組成の制御性に優れ、且つヘテロ界面の劣化を防止することのできる歪量子井戸構造の作製方法を提供する。【構成】 InAsPから成る歪量子井戸活性層10と、GaInAsPから成る障壁層11とで歪量子井戸構造4が形成され、歪量子井戸構造4の上下にクラッド層3,5が配置された歪量子井戸半導体レーザ素子1において、InPと格子定数が等しいGa<SB>X </SB>In<SB>1-x </SB>As<SB>y </SB>P<SB>1-y </SB>(x,yは組成比、0<x<1,0<y<1 )を障壁層11とし、障壁層11と5族元素Asの組成比yが等しいInAs<SB>y </SB>P<SB>1-y </SB>を歪量子井戸活性層10としたことを特徴とする。
Claim (excerpt)：
InAsPから成る歪量子井戸活性層と、GaInAsPから成る障壁層とで歪量子井戸構造が形成され、該歪量子井戸構造の上下にクラッド層が配置された歪量子井戸半導体レーザ素子において、InPと格子定数が等しいGa<SB>X </SB>In<SB>1-x </SB>As<SB>y </SB>P<SB>1-y </SB>(x,yは組成比、0<x<1,0<y<1 )を前記障壁層とし、該障壁層と5族元素の組成比yが等しいInAs<SB>y </SB>P<SB>1-y </SB>を前記歪量子井戸活性層としたことを特徴とする歪量子井戸半導体レーザ素子。
IPC (3)：
H01S 3/18
, H01L 21/20
, H01L 21/203
