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J-GLOBAL ID：200903007096870477

半導体装置

Inventor： 細川 徹
Applicant, Patent owner： 京セラ株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997238599
Publication number (International publication number)：1999087406
Application date： Sep. 03, 1997
Publication date： Mar. 30, 1999
Summary：

【要約】【課題】 裏面に接地電極を有する半導体素子をフリップチップ実装した半導体装置において半導体素子の良好な接地状態を確保することが困難であった。【解決手段】 絶縁基板1の上面に形成された半導体素子搭載部に、上面に接地電極3が形成された半導体素子2を搭載させるとともに、半導体素子搭載部内に形成された配線電極パッド5と半導体素子2の下面に形成された配線電極4とを導電性相互接続部材8により電気的に接続させて成り、かつ、半導体素子2の接地電極3と半導体素子搭載部の近傍に形成された接地電極パッド6とが半導体素子2を封止する導電性封止材9で接続されている半導体装置である。フリップチップ実装され封止された半導体素子2の良好な接地状態を確保でき、半導体装置の小型化を図ることができる。

Claim (excerpt)：

絶縁基板の上面に形成された半導体素子搭載部に、上面に接地電極が形成された半導体素子を搭載させるとともに、前記半導体素子搭載部内に形成された配線電極パッドと前記半導体素子の下面に形成された配線電極とを導電性相互接続部材により電気的に接続させて成り、かつ、前記半導体素子の接地電極と前記半導体素子搭載部の近傍に形成された接地電極パッドとが前記半導体素子を封止する導電性封止材で接続されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (2)：

H01L 21/60 311 ,  H01L 23/12

FI (2)：

H01L 21/60 311 Q ,  H01L 23/12 E