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J-GLOBAL ID：200903007102750527

化合物半導体素子

Inventor： 榊原 勝利 ,  三瓶 義広 ,  三浦 明 ,  藤田 忠重 ,  赤坂 恭一
Applicant, Patent owner： 横河電機株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999005223
Publication number (International publication number)：2000208679
Application date： Jan. 12, 1999
Publication date： Jul. 28, 2000
Summary：

【要約】【課題】 温度サイクル試験に耐える信頼性の高いモジュールを構成できる化合物半導体素子を提供する。【解決手段】 化合物半導体チップの一面に一面が接続されたサブマウントと、このサブマウントの他面に一面が接続されたペルチェモジュールと、このペルチェモジュールの他面に一面が接続された放熱板と、この放熱板の一面に一面が接続されたパッケージと、このパッケージの開口部を覆うキャップと、このキャップに設けられた窓とを具備する化合物半導体素子において、前記化合物半導体チップの線膨張係数に近い材料からなるサブマウントとペルチェモジュールの基板と、熱抵抗が小さく且つ前記化合物半導体チップの線膨張係数に近い材料からなる放熱板と、この放熱板の線膨張係数に近い材料からなるパッケージとを具備した事を特徴とする化合物半導体素子である。

Claim (excerpt)：

化合物半導体チップの一面に一面が接続されたサブマウントと、このサブマウントの他面に一面が接続されたペルチェモジュールと、このペルチェモジュールの他面に一面が接続された放熱板と、この放熱板の一面に一面が接続されたパッケージと、このパッケージの開口部を覆うキャップと、このキャップに設けられた窓とを具備する化合物半導体素子において、前記化合物半導体チップの線膨張係数に近い材料からなるサブマウントとペルチェモジュールの基板と、熱抵抗が小さく且つ前記化合物半導体チップの線膨張係数に近い材料からなる放熱板と、この放熱板の線膨張係数に近い材料からなるパッケージとを具備した事を特徴とする化合物半導体素子。

IPC (3)：

H01L 23/38 ,  H01L 35/30 ,  H01L 35/32

FI (3)：

H01L 23/38 ,  H01L 35/30 ,  H01L 35/32 A

F-Term (5)：

5F036AA01 ,  5F036BA33 ,  5F036BB01 ,  5F036BB08 ,  5F036BD14

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 冷却型固体撮像装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-182764   Applicant：浜松ホトニクス株式会社
• 特開昭62-031144
  
• サイリスタ容器の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-339643   Applicant：日本特殊陶業株式会社