n型不純物層を有する炭化珪素半導体の製造方法

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Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996241381
Publication number (International publication number)：1998064840
Application date： Aug. 23, 1996
Publication date： Mar. 06, 1998
Summary：

【要約】 (修正有)【課題】イオン注入法で炭化珪素にn 型不純物層を形成する場合において、シート抵抗の低いn型不純物層を得る。【解決手段】n型不純物層を有する炭化珪素半導体の製造方法であって、炭化珪素半導体層にシリコンが格子位置を占有することが可能であり、イオン注入によって格子欠陥が生じ難い高温でシリコンイオン20を注入する工程と、このシリコンイオンを注入した炭化珪素半導体層を不活性雰囲気中で前記シリコンイオンの注入によって生じた格子欠陥を減少させるための熱処理する工程と、前記シリコンイオンにほぼ相当する量の窒素イオン30をイオン注入によって格子欠陥が生じ難い高温でイオン注入を行う工程とを有する。

Claim (excerpt)：

n型不純物層を有する炭化珪素半導体の製造方法であって、炭化珪素半導体層にシリコンが格子位置を占有することが可能であり、かつイオン注入によって格子欠陥が生じ難い高温でシリコンイオンを注入する工程と、このシリコンイオンを注入した炭化珪素半導体層を不活性雰囲気中で前記シリコンイオンの注入によって生じた格子欠陥を減少させるための熱処理を行う工程と、前記シリコンイオンにほぼ相当する量の窒素イオンをイオン注入によって格子欠陥が生じ難い高温でイオン注入を行なう工程とを有することを特徴とするn型不純物層を有する炭化珪素半導体の製造方法。

FI (3)：

H01L 21/265 Z , H01L 21/265 A , H01L 21/265 Q

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (12)

特開平2-049422
特開平2-049422
特開平3-083332

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