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J-GLOBAL ID：200903007114701955

炭化ケイ素単結晶の製造方法

Inventor： 上本 勉
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 鈴江 武彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993320714
Publication number (International publication number)：1995172998
Application date： Dec. 21, 1993
Publication date： Jul. 11, 1995
Summary：

【要約】【目的】 多結晶の成長や結晶欠陥の増加を招くことなく、バルクの炭化ケイ素単結晶を製造できる方法を提供する。【構成】 構成元素として炭素を含むるつぼ12の周囲を断熱して均温化した状態でるつぼ12中に収容されたシリコン融液17中にるつぼ12の構成元素である炭素との反応により生成した炭化ケイ素を溶解させ、シリコン融液17の上方に設置した加熱手段14により融液面の温度を調整しながら、融液面に接触させた種結晶21に炭化ケイ素単結晶26を成長させる。

Claim (excerpt)：

構成元素として炭素を含むるつぼの周囲を断熱して均温化した状態でるつぼに収容されたシリコン融液中にるつぼの構成元素である炭素との反応により生成した炭化ケイ素を溶解させ、シリコン融液の上方に設置した加熱手段により融液面の温度を調整しながら、融液面に接触させた種結晶に炭化ケイ素単結晶を成長させることを特徴とする炭化ケイ素単結晶の製造方法。

IPC (5)：

C30B 29/36 ,  C30B 11/00 ,  C30B 11/06 ,  H01L 21/208 ,  H01L 33/00