薄膜トランジスタの製造方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：志賀正武 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993065740
Publication number (International publication number)：1994275524
Application date： Mar. 24, 1993
Publication date： Sep. 30, 1994
Summary：

【要約】【目的】本発明は前記事情に鑑みてなされたものであり、大面積基板を用いて電界効果移動度の高い薄膜トランジスタを安定かつ再現性の高いプロセスで製造することができる方法を提供することを目的とする。【構成】本発明は、少なくとも成膜面がガラス等の絶縁材料からなる基板7上に、非晶質シリコン膜1を形成し、その後に非晶質シリコン膜1にレーザ等の強エネルギー線を複数回照射することにより前記非晶質シリコン膜1を結晶化する薄膜トランジスタの製造方法において、450°C以下の温度におけるジシランの熱分解反応により生成させた非晶質シリコン膜1を使用し、この非晶質シリコン膜1に対し、エネルギー密度200mJ/cm2以上の強エネルギー線をパルス照射して結晶化するものである。

Claim (excerpt)：

少なくとも成膜面がガラス等の絶縁材料からなる基板上に、非晶質シリコン膜を形成し、その後に非晶質シリコン膜にレーザ等の強エネルギー線を複数回照射することにより前記非晶質シリコン膜を結晶化する薄膜トランジスタの製造方法において、450°C以下の温度におけるジシランの熱分解反応により生成させた非晶質シリコン膜を使用し、この非晶質シリコン膜に対し、エネルギー密度200mJ/cm2以上の強エネルギー線をパルス照射して結晶化することを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。

IPC (4)：

H01L 21/20 , H01L 21/268 , H01L 21/336 , H01L 29/784

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

アモルフアスシリコン膜の形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-190134 Applicant：昭和電工株式会社
特開平4-321219
特開昭64-080020

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