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J-GLOBAL ID：200903007158555697

強磁性p型単結晶酸化亜鉛およびその製造方法

Inventor： 吉田 博 ,  佐藤 和則
Applicant, Patent owner： 科学技術振興事業団
Agent (1)： 西 義之
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999247959
Publication number (International publication number)：2001072496
Application date： Sep. 01, 1999
Publication date： Mar. 21, 2001
Summary：

【要約】【課題】 強磁性転移温度の高い単結晶ZnO薄膜の合成。【構成】 遷移金属元素Mnとp型ドーパントを含有している強磁性p型単結晶酸化亜鉛および遷移金属元素Mnとn型ドーパントとp型ドーパントを含有している強磁性p型単結晶酸化亜鉛。本発明の単結晶酸化亜鉛を、既に実現しているn型およびp型の透明電極ZnOや光ファイバーと組み合わせることにより量子コンピュータや大容量光磁気記録、また可視光から紫外光領域にわたる光エレクトロニクス材料として高性能な情報通信、量子コンピュータへの応用が可能となる。

Claim (excerpt)：

遷移金属元素Mnとp型ドーパントを含有している強磁性p型単結晶酸化亜鉛。

IPC (2)：

C30B 29/16 ,  H01F 10/12

FI (2)：

C30B 29/16 ,  H01F 10/12

F-Term (11)：

4G077AA03 ,  4G077AB05 ,  4G077BB07 ,  4G077DA01 ,  4G077DB01 ,  4G077EB01 ,  4G077EB02 ,  5E049AB09 ,  5E049AB10 ,  5E049BA22 ,  5E049BA23